Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C64M4SA-7TCN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
962141Obraz AS4C64M4SA-7TCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M4SA-7TCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.84
10+
$3.483
25+
$3.408
50+
$3.389
108+
$3.039
324+
$3.028
540+
$2.916
1080+
$2.773
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C64M4SA-7TCN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C64M4SA-7TCN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    54-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Inne nazwy
    1450-1442
    AS4C64M4SA-7TCN-ND
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    256Mb (64M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 143MHz 5.5ns 54-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    143MHz
  • Czas dostępu
    5.5ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C64M4SA-7TCN”.
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.