Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C4M32S-7TCNTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6615750Obraz AS4C4M32S-7TCNTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32S-7TCNTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C4M32S-7TCNTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    2ns
  • Napięcie - Dostawa
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    86-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    128Mb (4M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    143MHz
  • Czas dostępu
    5.5ns
AS4C4M32SA-7TCNTR

AS4C4M32SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M16D3L-12BCNTR

AS4C512M16D3L-12BCNTR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-7TCN

AS4C4M32S-7TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-7BCNTR

AS4C4M32S-7BCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6TCN

AS4C4M32S-6TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32SA-6TCN

AS4C4M32SA-6TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6BINTR

AS4C4M32S-6BINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32SA-7TCN

AS4C4M32SA-7TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32MSA-6BINTR

AS4C4M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6TINTR

AS4C4M32S-6TINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6TCNTR

AS4C4M32S-6TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32SA-6TCNTR

AS4C4M32SA-6TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M16D3L-12BCN

AS4C512M16D3L-12BCN

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32SA-6TINTR

AS4C4M32SA-6TINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-6TIN

AS4C4M32S-6TIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M16D3L-12BINTR

AS4C512M16D3L-12BINTR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M16D3L-12BIN

AS4C512M16D3L-12BIN

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C4M32S-7BCN

AS4C4M32S-7BCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść