Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > AS4C32M32MD2-25BCN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2316343Obraz AS4C32M32MD2-25BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M32MD2-25BCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C32M32MD2-25BCN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C32M32MD2-25BCN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    134-FBGA (10x11.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    134-VFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1410
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (32M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C32M32MD2-25BCN”.
AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8D1-5TIN

AS4C32M8D1-5TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8D1-5TINTR

AS4C32M8D1-5TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8D1-5TCN

AS4C32M8D1-5TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8SA-6TINTR

AS4C32M8SA-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD2A-25BCNTR

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD2A-25BCN

AS4C32M32MD2A-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8SA-7TCN

AS4C32M8SA-7TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8D1-5TCNTR

AS4C32M8D1-5TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M8SA-6TIN

AS4C32M8SA-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.