Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C32M16SB-6TIN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3580443Obraz AS4C32M16SB-6TIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16SB-6TIN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
108+
$12.001
324+
$11.482
540+
$11.405
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C32M16SB-6TIN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C32M16SB-6TIN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    12ns
  • Napięcie - Dostawa
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    54-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (32M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C32M16SB-6TIN”.
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SB-7TCNTR

AS4C32M16SB-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16MSA-6BIN

AS4C32M16MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SA-7BINTR

AS4C32M16SA-7BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.