Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C2M32D1-5TCN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2199377Obraz AS4C2M32D1-5TCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32D1-5TCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C2M32D1-5TCN
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    66-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    -
  • Inne nazwy
    1450-1317
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    64Mb (2M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Czas dostępu
    700ps
AS4C2M32D1A-5BINTR

AS4C2M32D1A-5BINTR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LA-12BCN

AS4C256M8D3LA-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LB-12BIN

AS4C256M8D3LB-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32S-6BINTR

AS4C2M32S-6BINTR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1-5BIN

AS4C2M32D1-5BIN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1-5BCN

AS4C2M32D1-5BCN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LA-12BCNTR

AS4C256M8D3LA-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1-5TIN

AS4C2M32D1-5TIN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32S-5TCNTR

AS4C2M32S-5TCNTR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32S-6TCN

AS4C2M32S-6TCN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LB-12BCN

AS4C256M8D3LB-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1A-5BIN

AS4C2M32D1A-5BIN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LB-12BINTR

AS4C256M8D3LB-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LB-12BCNTR

AS4C256M8D3LB-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32S-6BIN

AS4C2M32S-6BIN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LA-12BINTR

AS4C256M8D3LA-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C256M8D3LA-12BIN

AS4C256M8D3LA-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1A-5BCNTR

AS4C2M32D1A-5BCNTR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32S-5TCN

AS4C2M32S-5TCN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C2M32D1A-5BCN

AS4C2M32D1A-5BCN

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść