Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C256M8D3-12BAN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4632427Obraz AS4C256M8D3-12BAN.Alliance Memory, Inc.

AS4C256M8D3-12BAN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.78
10+
$6.239
25+
$6.109
50+
$6.088
100+
$5.461
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C256M8D3-12BAN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C256M8D3-12BAN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (8x10.5)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q100
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    78-TFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1099
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (256M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Częstotliwość zegara
    800MHz
  • Czas dostępu
    20ns

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C256M8D3-12BAN”.
AS4C256M32MD2-18BINTR

AS4C256M32MD2-18BINTR

Opis: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M32MD2-18BCNTR

AS4C256M32MD2-18BCNTR

Opis: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D2-25BINTR

AS4C256M8D2-25BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M32MD2-18BCN

AS4C256M32MD2-18BCN

Opis: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3A-12BANTR

AS4C256M8D3A-12BANTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M16D3LB-12BIN

AS4C256M16D3LB-12BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-12BANTR

AS4C256M8D3-12BANTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-12BIN

AS4C256M8D3-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-12BINTR

AS4C256M8D3-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3A-12BAN

AS4C256M8D3A-12BAN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M16D3LB-12BINTR

AS4C256M16D3LB-12BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D2-25BIN

AS4C256M8D2-25BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M32MD2-18BIN

AS4C256M32MD2-18BIN

Opis: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D2-25BCN

AS4C256M8D2-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3A-12BCN

AS4C256M8D3A-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-12BCNTR

AS4C256M8D3-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-12BCN

AS4C256M8D3-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-15BCN

AS4C256M8D3-15BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D2-25BCNTR

AS4C256M8D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M8D3-15BCNTR

AS4C256M8D3-15BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.