Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C128M8D2A-25BCN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5724884

AS4C128M8D2A-25BCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
264+
$4.079
528+
$3.825
1056+
$3.662
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C128M8D2A-25BCN
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    60-FBGA (8x10)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    60-TFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (128M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz
  • Czas dostępu
    400ps
AS4C128M8D3-12BIN

AS4C128M8D3-12BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2-25BCNTR

AS4C128M8D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3A-12BAN

AS4C128M8D3A-12BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2A-25BIN

AS4C128M8D2A-25BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3-12BINTR

AS4C128M8D3-12BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M32MD2A-25BIN

AS4C128M32MD2A-25BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M32MD2A-25BINTR

AS4C128M32MD2A-25BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3-12BANTR

AS4C128M8D3-12BANTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M32MD2A-18BIN

AS4C128M32MD2A-18BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2-25BIN

AS4C128M8D2-25BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2A-25BCNTR

AS4C128M8D2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D1-6TIN

AS4C128M8D1-6TIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3-12BAN

AS4C128M8D3-12BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3-12BCNTR

AS4C128M8D3-12BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D1-6TINTR

AS4C128M8D1-6TINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M8D3-12BCN

AS4C128M8D3-12BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść