Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C128M16D2-25BINTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1187834Obraz AS4C128M16D2-25BINTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C128M16D2-25BINTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$9.911
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C128M16D2-25BINTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    84-FBGA (10.5x13.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    84-TFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (128M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 84-FBGA (10.5x13.5)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz
AS4508M

AS4508M

Opis: SPEAKER 8OHM 1W 84DB

Producenci: PUI Audio, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D3-12BIN

AS4C128M16D3-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D3-12BANTR

AS4C128M16D3-12BANTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D3-12BINTR

AS4C128M16D3-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D3-12BCNTR

AS4C128M16D3-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D3-12BAN

AS4C128M16D3-12BAN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D2-25BCNTR

AS4C128M16D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS431IANTR-G1

AS431IANTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS4C128M16D3-12BCN

AS4C128M16D3-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D2A-25BCNTR

AS4C128M16D2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS431IBRTR-G1

AS431IBRTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS431IBZTR-G1

AS431IBZTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS431IARTR-G1

AS431IARTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS431IAZTR-G1

AS431IAZTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS4C128M16D2A-25BINTR

AS4C128M16D2A-25BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS431IBNTR-G1

AS431IBNTR-G1

Opis: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść