Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S3GB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6987561Obraz S3GB.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

S3GB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.126
6000+
$0.118
15000+
$0.111
30000+
$0.102
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S3GB
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GP 400V 3A SMB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.15V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMB (DO-214AA)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    S3GBFSTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount SMB (DO-214AA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    18pF @ 0V, 1MHz
S3G500-AM56-21

S3G500-AM56-21

Opis: FAN AXIAL

Producenci: ebm-papst Inc.
Na stanie
S3G-E3/9AT

S3G-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3GB R5G

S3GB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S3GB-13

S3GB-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S3G-13-F

S3G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S3G-TP

S3G-TP

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S3GHE3/57T

S3GHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3GBHM4G

S3GBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S3GHE3/9AT

S3GHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3G-13

S3G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S3G-M3/9AT

S3G-M3/9AT

Opis: DIODE GPP 3A 400V DO-214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3GBHR5G

S3GBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S3G-E3/51T

S3G-E3/51T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3G/57T

S3G/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3G-E3/57T

S3G-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3G-M3/57T

S3G-M3/57T

Opis: DIODE GPP 3A 400V DO-214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S3GBTR

S3GBTR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
S3GB-TP

S3GB-TP

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S3GB M4G

S3GB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S3GB-13-F

S3GB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść