Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RFD12N06RLESM9A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4651234

RFD12N06RLESM9A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.10
10+
$0.972
100+
$0.768
500+
$0.596
1000+
$0.47
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RFD12N06RLESM9A
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RFD12N06RLESM9A.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252AA
  • Seria
    UltraFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    63 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    49W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RFD12N06RLESM9ACT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    485pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RFD12N06RLESM9A”.
RFD21731

RFD21731

Opis: MODULE RF TXRX LONG RANGE 15MM

Producenci: RF Digital
Na stanie
RFQ
RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A

Opis: MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD12N06RLE

RFD12N06RLE

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD15P05SM

RFD15P05SM

Opis: MOSFET P-CH 50V 15A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05

RFD14N05

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD16N05SM9A

RFD16N05SM9A

Opis: MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05L

RFD14N05L

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD16N05

RFD16N05

Opis: MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD10P03LSM

RFD10P03LSM

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD21711

RFD21711

Opis: BOARD 24L01 RF TXRX

Producenci: RF Digital
Na stanie
RFQ
RFD21716

RFD21716

Opis: BOARD 24L01 RF TXRX

Producenci: RF Digital
Na stanie
RFQ
RFD15P05

RFD15P05

Opis: MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05LSM

RFD14N05LSM

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A

Opis: MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05SM

RFD14N05SM

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD21712

RFD21712

Opis: BOARD 24L01 RF TXRX

Producenci: RF Digital
Na stanie
RFQ
RFD16N05LSM

RFD16N05LSM

Opis: MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD14N05SM9A

RFD14N05SM9A

Opis: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFD16N05SM

RFD16N05SM

Opis: MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.