Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVMFS5113PLT1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6594956

Obraz NVMFS5113PLT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5113PLT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1500+

$0.792

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NVMFS5113PLT1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NVMFS5113PLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

14 mOhm @ 17A, 10V
Strata mocy (max)

3.8W (Ta), 150W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerTDFN
Inne nazwy

NVMFS5113PLT1G-ND
NVMFS5113PLT1GOSTR
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

50 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

4400pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

83nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 64A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NVMFS5113PLT1G”.

NVMFS5830NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5830NLWFT3G

NVMFS5830NLWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5826NLWFT1G

NVMFS5826NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C302NWFT1G

NVMFS4C302NWFT1G

Opis: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C310NWFT3G

NVMFS4C310NWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5826NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C310NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C05NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5830NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5832NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5826NLWFT3G

NVMFS5826NLWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C05NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5826NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G

Opis: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C310NWFT1G

NVMFS4C310NWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C05NWFT3G

NVMFS4C05NWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C302NT1G

Opis: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C310NT3G

NVMFS4C310NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.