Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVMFD5875NLT3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3513310Obraz NVMFD5875NLT3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5875NLT3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.436
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVMFD5875NLT3G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVMFD5875NLT3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    33 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Moc - Max
    3.2W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    50 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    540pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVMFD5875NLT3G”.
NVMFD5877NLT3G

NVMFD5877NLT3G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5875NLWFT1G

NVMFD5875NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5852NLWFT1G

NVMFD5852NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5853NT1G

NVMFD5853NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5875NLT1G

NVMFD5875NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5877NLT1G

NVMFD5877NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5C446NLWFT1G

NVMFD5C446NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5873NLWFT1G

NVMFD5873NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5873NLT1G

NVMFD5873NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5C446NWFT1G

NVMFD5C446NWFT1G

Opis: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5853NWFT1G

NVMFD5853NWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5489NLWFT3G

NVMFD5489NLWFT3G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5853NLWFT1G

NVMFD5853NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5C446NLT1G

NVMFD5C446NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5C446NT1G

NVMFD5C446NT1G

Opis: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5852NLT1G

NVMFD5852NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5853NLT1G

NVMFD5853NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5877NLWFT3G

NVMFD5877NLWFT3G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5877NLWFT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.