Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVLUS4C12NTAG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3413188Obraz NVLUS4C12NTAG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVLUS4C12NTAG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.367
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVLUS4C12NTAG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVLUS4C12NTAG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-UDFN (2x2)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    630mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    NVLUS4C12NTAG-ND
    NVLUS4C12NTAGOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1172pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVLUS4C12NTAG”.
FDMS7650

FDMS7650

Opis: MOSFET N-CH 30V POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STW40N60M2

STW40N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
AON6786_001

AON6786_001

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IXFQ94N30P3

IXFQ94N30P3

Opis: MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IPD60R650CEBTMA1

IPD60R650CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVS4001NT1G

NVS4001NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTTFS4930NTWG

NTTFS4930NTWG

Opis: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STF38N65M5

STF38N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFZ34STRR

IRFZ34STRR

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVLJD4007NZTBG

NVLJD4007NZTBG

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AUIRF1405ZS-7TRL

AUIRF1405ZS-7TRL

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
IRFI640G

IRFI640G

Opis: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Opis: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
IRLR8726PBF

IRLR8726PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVLJD4007NZTAG

NVLJD4007NZTAG

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STF11NM80

STF11NM80

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.