Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVE4153NT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1911418Obraz NVE4153NT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.179
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVE4153NT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVE4153NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±6V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-89
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    300mW (Tj)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-89, SOT-490
  • Inne nazwy
    NVE4153NT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVE4153NT1G”.
AON6566P

AON6566P

Opis: MOSFET N-CH 30V 27A DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
PSMN012-100YLX

PSMN012-100YLX

Opis: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRF520NSPBF

IRF520NSPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF1503SPBF

IRF1503SPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AON6510

AON6510

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
BSS7728N

BSS7728N

Opis: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF610LPBF

IRF610LPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

Opis: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SS05N70AKMA1

SS05N70AKMA1

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTP80N10T

IXTP80N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FDBL0110N60

FDBL0110N60

Opis: MOSFET N-CH 60V 300A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN017-80PS,127

PSMN017-80PS,127

Opis: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFE39N90

IXFE39N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

Opis: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS5C460NLT1G

NTMFS5C460NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.