Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTMD4N03R2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5550049

NTMD4N03R2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.78
10+
$0.655
100+
$0.491
500+
$0.36
1000+
$0.278
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTMD4N03R2G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTMD4N03R2G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 10V
  • Moc - Max
    2W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    NTMD4N03R2GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    400pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Podstawowy numer części
    NTMD4N03

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTMD4N03R2G”.
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD4820NR2G

NTMD4820NR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD4184PFR2G

NTMD4184PFR2G

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6P02R2SG

NTMD6P02R2SG

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2C02R2

NTMD2C02R2

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

Opis: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2C02R2SG

NTMD2C02R2SG

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD4840NR2G

NTMD4840NR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2P01R2

NTMD2P01R2

Opis: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.