Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTHS2101PT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1520860Obraz NTHS2101PT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHS2101PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTHS2101PT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTHS2101PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ChipFET™
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.3W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    NTHS2101PT1GOS
    NTHS2101PT1GOS-ND
    NTHS2101PT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2400pF @ 6.4V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    8V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tj)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTHS2101PT1G”.
NTHS5441PT1G

NTHS5441PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N1503KR

NTHS1206N17N1503KR

Opis: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS2101PT1

NTHS2101PT1

Opis: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS5441T1G

NTHS5441T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS5402T1

NTHS5402T1

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2203JP

NTHS1206N17N2203JP

Opis: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS4166NT1G

NTHS4166NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS5443T1

NTHS5443T1

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS5404T1G

NTHS5404T1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1210N04N1003JF

NTHS1210N04N1003JF

Opis: THERM NTC 100KOHM 4247K 1210

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2003JR

NTHS1206N17N2003JR

Opis: THERM NTC 200KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2003JE

NTHS1206N17N2003JE

Opis: THERM NTC 200KOHM 4247K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS4501NT1

NTHS4501NT1

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS4111PT1G

NTHS4111PT1G

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2203JE

NTHS1206N17N2203JE

Opis: THERM NTC 220KOHM 4247K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N1503KU

NTHS1206N17N1503KU

Opis: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2203JF

NTHS1206N17N2203JF

Opis: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
NTHS4501NT1G

NTHS4501NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHS1206N17N2203JR

NTHS1206N17N2203JR

Opis: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206

Producenci: Dale / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.