Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTGD4167CT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5880971

NTGD4167CT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.53
10+
$0.444
100+
$0.333
500+
$0.244
1000+
$0.189
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTGD4167CT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTGD4167CT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Moc - Max
    900mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    NTGD4167CT1GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.6A, 1.9A
  • Podstawowy numer części
    NTGD4167C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTGD4167CT1G”.
NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3443T2G

NTGS3443T2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3441T1

NTGS3441T1

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

Opis: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3433T1G

NTGS3433T1G

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3441BT1G

NTGS3441BT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3441PT1G

NTGS3441PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3443BT1G

NTGS3443BT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD1100LT1

NTGD1100LT1

Opis: MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3443T1

NTGS3443T1

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGD3147FT1G

NTGD3147FT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTGS3441T1G

NTGS3441T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.