Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTD3813N-1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3127871

Obraz NTD3813N-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3813N-1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NTD3813N-1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NTD3813N-1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

I-PAK
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

8.75 mOhm @ 15A, 10V
Strata mocy (max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

963pF @ 12V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

16V
szczegółowy opis

N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NTD3813N-1G”.

NTD32N06L

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06L-001

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06LG

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3817NT4G

Opis: MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06L-1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD40N03RT4

Opis: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD40N03R-1G

Opis: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06T4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3813NT4G

Opis: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06G

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3808NT4G

Opis: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD40N03R-001

Opis: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD40N03RT4G

Opis: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3817N-35G

Opis: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3808N-1G

Opis: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD40N03RG

Opis: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3817N-1G

Opis: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3813N-35G

Opis: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD3808N-35G

Opis: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTD32N06LT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.