Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - JFET > NSVJ6904DSB6T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3809809

NSVJ6904DSB6T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.443
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NSVJ6904DSB6T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    NSVJ6904DSB6T1G.pdf
  • Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id
    600mV @ 100µA
  • Napięcie - Podział (V (BR) GSS)
    25V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-CPH
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistance - RDS (on)
    78 mOhms
  • Moc - Max
    700mW
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    JFET 2 N-Channel (Dual) 25V 50mA 700mW Surface Mount 6-CPH
  • Pobór prądu (Id) - Max
    50mA
  • Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
    20mA @ 5V

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NSVJ6904DSB6T1G”.
NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G

Opis: MOSFET N-CH 15V 32MA SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMBD54DWT1G

NSVMBD54DWT1G

Opis: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMBD717LT1G

NSVMMBD717LT1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMBD353LT1G

NSVMMBD353LT1G

Opis: DIODE ARRAY GP 7V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVM1MA152WKT1G

NSVM1MA152WKT1G

Opis: DIODE SW 80V DUAL CC SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMBT3904DW1T3G

NSVMBT3904DW1T3G

Opis: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVJ2394SA3T1G

NSVJ2394SA3T1G

Opis: IC JFET N-CH LNA SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF4020SG4T1G

NSVF4020SG4T1G

Opis: RF TRANSISTOR

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVM1MA141WAT1G

NSVM1MA141WAT1G

Opis: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

Opis: RF TRANSISTOR

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMBD770DW1T1G

NSVMBD770DW1T1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G

Opis: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF4015SG4T1G

NSVF4015SG4T1G

Opis: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G

Opis: SURF MT BIASED RES XSTR

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMBD352WT1G

NSVMMBD352WT1G

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 7V CC DUAL SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF4009SG4T1G

NSVF4009SG4T1G

Opis: TRANS NPN 3.5V 40MA 4MCPH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVM1MA152WAT1G

NSVM1MA152WAT1G

Opis: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

Opis: RF TRANSISTOR

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G

Opis: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.