Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > NSVB143ZPDXV6T1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5057108

Obraz NSVB143ZPDXV6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB143ZPDXV6T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

4000+

$0.114

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NSVB143ZPDXV6T1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NSVB143ZPDXV6T1G.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

250mV @ 1mA, 10mA
Typ tranzystora

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

SOT-563
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

47 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

4.7 kOhms
Moc - Max

500mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-563, SOT-666
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

11 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

-
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NSVB143ZPDXV6T1G”.

NSVBAS16TT1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBAS19LT1G

Opis: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV60601MZ4T3G

Opis: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV60601MZ4T1G

Opis: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBAS16WT3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV9435T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Opis: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBAS21AHT1G

Opis: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBAS116LT3G

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB144EPDXV6T1G

NSVB144EPDXV6T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVBAS20LT3G

Opis: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV60600MZ4T1G

Opis: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV60600MZ4T3G

Opis: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSV60201LT1G

Opis: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.