Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTG50N60FWG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6425790Obraz NGTG50N60FWG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG50N60FWG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$5.57
30+
$4.725
120+
$4.095
510+
$3.486
1020+
$2.94
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTG50N60FWG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 100A 223W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTG50N60FWG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.7V @ 15V, 50A
  • Stan testu
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    117ns/285ns
  • Przełączanie Energy
    1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    223W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    NGTG50N60FWGOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench
  • brama Charge
    310nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    200A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTG50N60FWG”.
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Opis: IGBT 600V 60A 250W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Opis: IGBT 600V 60A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Opis: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 15A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 40A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 25A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Opis: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Opis: IGBT 650V 60A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Opis: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.