Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTD17T65F2WP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
280959

NGTD17T65F2WP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
149+
$2.275
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTD17T65F2WP
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTD17T65F2WP.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2V @ 15V, 40A
  • Stan testu
    -
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Die
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    160A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTD17T65F2WP”.
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.