Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MVB50P03HDLT4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1391812

MVB50P03HDLT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MVB50P03HDLT4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±15V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D2PAK-3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Strata mocy (max)
    125W (Tc)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MVB50P03HDLT4G”.
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Opis: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Opis: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Opis: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Opis: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
IRFD320

IRFD320

Opis: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.