Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > ISL9V2040P3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5698293

ISL9V2040P3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ISL9V2040P3
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 430V 10A 130W TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.ISL9V2040P3.pdf
    2.ISL9V2040P3.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    430V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.9V @ 4V, 6A
  • Stan testu
    300V, 1 kOhm, 5V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -/3.64µs
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    EcoSPARK®
  • Moc - Max
    130W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    ISL9V2040P3_NL
    ISL9V2040P3_NL-ND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Logic
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    12nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 430V 10A 130W Through Hole TO-220AB
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    10A
  • Podstawowy numer części
    ISL9V2040

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ISL9V2040P3”.
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3040D3S

ISL9V3040D3S

Opis: IGBT 430V 21A 150W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3036P3

ISL9V3036P3

Opis: IGBT 360V 21A 150W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3036D3ST

ISL9V3036D3ST

Opis: IGBT 360V 21A 150W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R8120S3ST

ISL9R8120S3ST

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3036S3ST

ISL9V3036S3ST

Opis: IGBT 360V 21A 150W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Opis: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Opis: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Opis: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3036S3S

ISL9V3036S3S

Opis: IGBT 360V 21A 150W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Opis: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

Opis: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Opis: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V3036D3S

ISL9V3036D3S

Opis: IGBT 360V 21A 150W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.