Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Izolatory > Optoizolatory - tranzystor, wyjście fotowoltaiczne > H11A817B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1345949Obraz H11A817B.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    H11A817B
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    H11A817B.pdf
  • Napięcie - Wyjście (Max)
    70V
  • Napięcie - Izolacja
    5300Vrms
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.2V
  • Vce Nasycenie (Max)
    200mV
  • Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ)
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-DIP
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    2.4µs, 2.4µs
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Typ wyjścia
    Transistor
  • Inne nazwy
    H11A817BQT
    H11A817BQT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 100°C
  • Liczba kanałów
    1
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    DC
  • szczegółowy opis
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Obecny współczynnik przenikania (min)
    130% @ 5mA
  • Obecny współczynnik przenikania (Max)
    260% @ 5mA
  • Obecny - Wyjście / Channel
    50mA
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    50mA

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „H11A817B”.
H11A8173S

H11A8173S

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817A300W

H11A817A300W

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817BW

H11A817BW

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817C

H11A817C

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817B3S

H11A817B3S

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A8173SD

H11A8173SD

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817A

H11A817A

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817B300W

H11A817B300W

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817B300

H11A817B300

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817A3SD

H11A817A3SD

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817B3SD

H11A817B3SD

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817AW

H11A817AW

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817BS

H11A817BS

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817BSD

H11A817BSD

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817AS

H11A817AS

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817A3S

H11A817A3S

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817ASD

H11A817ASD

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817C300

H11A817C300

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817A300

H11A817A300

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11A817C300W

H11A817C300W

Opis: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.