Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD7P06TM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1127120

FQD7P06TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.30
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD7P06TM
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD7P06TM.pdf
    2.FQD7P06TM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    451 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FQD7P06TM-ND
    FQD7P06TMTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    295pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD7P06TM”.
FQD7P20TF

FQD7P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD8P10TF

FQD8P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7P06TM_NB82050

FQD7P06TM_NB82050

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD8P10TF_NB82052

FQD8P10TF_NB82052

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20TM

FQD7N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7P20TM

FQD7P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N30TF

FQD7N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD8P10TM

FQD8P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD8N25TF

FQD8N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20TM_F080

FQD7N20TM_F080

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N10TM

FQD7N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7P20TM_F080

FQD7P20TM_F080

Opis: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N30TM

FQD7N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7P06TF

FQD7P06TF

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7P06TM_F080

FQD7P06TM_F080

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20TF

FQD7N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.