Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD5N60CTM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6968857

FQD5N60CTM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.80
10+
$1.596
100+
$1.262
500+
$0.978
1000+
$0.772
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD5N60CTM
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQD5N60CTM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 49W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FQD5N60CTMCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    5 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD5N60CTM”.
FQD630TM

FQD630TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P20TM

FQD5P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N60CTF

FQD5N60CTF

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P20TM_F080

FQD5P20TM_F080

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTM_F080

FQD5N50CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TM

FQD5N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50CTM

FQD5N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TM

FQD5N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N60CTM-WS

FQD5N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.8A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N40TF

FQD5N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD630TF

FQD630TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P20TF

FQD5P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N25TF

FQD6N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P10TF

FQD5P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50TF

FQD5N50TF

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P10TM

FQD5P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N50TM

FQD5N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5N30TF

FQD5N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.