Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD3N60TM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

273762

FQD3N60TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQD3N60TM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.FQD3N60TM.pdf
2.FQD3N60TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D-Pak
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Strata mocy (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

450pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

13nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

600V
szczegółowy opis

N-Channel 600V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.4A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD3N60TM”.

FQD3N30TF

FQD3N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD4N20LTM

FQD4N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N60TF

FQD3N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P50TM-F085

FQD3P50TM-F085

Opis: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P50TM

FQD3P50TM

Opis: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD4N20TM

FQD4N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD4N20TF

FQD4N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N40TM

FQD3N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P20TF

FQD3P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N30TM

FQD3N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N60CTM-WS

FQD3N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P20TM

FQD3P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N40TF

FQD3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD30N06TM

FQD30N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD4N20LTF

FQD4N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P50TF

FQD3P50TF

Opis: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD3P50TM-AM002BLT

FQD3P50TM-AM002BLT

Opis: QF -500V 4.9OHM DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.