Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD12N20TM_F080

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2063984

FQD12N20TM_F080

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQD12N20TM_F080
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.FQD12N20TM_F080.pdf
2.FQD12N20TM_F080.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D-Pak
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

280 mOhm @ 4.5A, 10V
Strata mocy (max)

2.5W (Ta), 55W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

910pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

23nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

200V
szczegółowy opis

N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD12N20TM_F080”.

FQD12N20TM

FQD12N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20TF

FQD12N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N06TF

FQD13N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N10LTF

FQD13N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD11P06TF

FQD11P06TF

Opis: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD10N20TM

FQD10N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Opis: MOSFET N-CH 200V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12P10TF

FQD12P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Opis: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Opis: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N06TM

FQD13N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD12P10TM

FQD12P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD11P06TM

FQD11P06TM

Opis: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.