Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQB33N10LTM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2788657

Obraz FQB33N10LTM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB33N10LTM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$1.74

10+

$1.543

100+

$1.219

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQB33N10LTM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FQB33N10LTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

52 mOhm @ 16.5A, 10V
Strata mocy (max)

3.75W (Ta), 127W (Tc)
Opakowania

Original-Reel®
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FQB33N10LTMDKR
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

20 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1630pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

40nC @ 5V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

N-Channel 100V 33A (Tc) 3.75W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQB33N10LTM”.

FQB34N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2NA90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB32N20CTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB30N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB32N12V2TM

Opis: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB33N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34N20TM-AM002

FQB34N20TM-AM002

Opis: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB30N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34P10TM-F085P

FQB34P10TM-F085P

Opis: PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2P40TM

Opis: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34P10TM-F085

FQB34P10TM-F085

Opis: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.