Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQB10N20TM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

7029053

Obraz FQB10N20TM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB10N20TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQB10N20TM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

360 mOhm @ 5A, 10V
Strata mocy (max)

-
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

670pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

18nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

200V
szczegółowy opis

N-Channel 200V 10A (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQB10N20TM”.

FQB10N20CTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB13N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB13N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB13N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB14N15TM

Opis: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB11N40CTM

Opis: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

Opis: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB12N50TM_AM002

FQB12N50TM_AM002

Opis: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB13N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB12N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB12P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB12P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB10N50CFTM-WS

FQB10N50CFTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB15P12TM

Opis: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB10N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB11P06TM

Opis: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB11N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB10N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB14N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB13N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.