Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDP8870-F085
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5582430

FDP8870-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.74
10+
$2.474
400+
$1.767
800+
$1.396
1200+
$1.281
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDP8870-F085
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FDP8870-F085.pdf
    2.FDP8870-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.1 mOhm @ 35A, 10V
  • Strata mocy (max)
    160W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    FDP8870_F085
    FDP8870_F085-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5200pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    132nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta), 156A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDP8870-F085”.
FDP86363-F085

FDP86363-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 110A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8880

FDP8880

Opis: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8876

FDP8876

Opis: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8443-F085

FDP8443-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8870

FDP8870

Opis: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8447L

FDP8447L

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8442-F085

FDP8442-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8874

FDP8874

Opis: MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

Opis: MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8860

FDP8860

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8441_F085

FDP8441_F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8442

FDP8442

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDPC3D5N025X9D

FDPC3D5N025X9D

Opis: MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8441

FDP8441

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8878

FDP8878

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDPC4044

FDPC4044

Opis: MOSFET 2N-CH 8MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8443

FDP8443

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDPC1002S

FDPC1002S

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP8896

FDP8896

Opis: MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.