Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDI8441

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6326469

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI8441

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDI8441
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDI8441.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

I2PAK (TO-262)
Seria

PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max)

300W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

15000pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

280nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 26A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

26A (Ta), 80A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDI8441”.

FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI3652

FDI3652

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI8442

FDI8442

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI14-250Q

Opis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producenci: 3M

Na stanie

FDI2532

FDI2532

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI045N10A

FDI045N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI3632

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI10-250Q

FDI10-250Q

Opis: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Producenci: 3M

Na stanie

FDI18-187Q

Opis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producenci: 3M

Na stanie

FDI9406-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI33N25TU

FDI33N25TU

Opis: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI9409-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI8441_F085

FDI8441_F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI14-187Q

Opis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producenci: 3M

Na stanie

FDI040N06

FDI040N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI18-250Q

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Producenci: 3M

Na stanie

FDI150N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDI14-250C

Opis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Producenci: 3M

Na stanie

FDI038AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.