Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDG410NZ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1427475

FDG410NZ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.164
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDG410NZ
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDG410NZ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-70-6
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    420mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    FDG410NZ-ND
    FDG410NZTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    535pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.2nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDG410NZ”.
FDG329N

FDG329N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG327NZ

FDG327NZ

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG327N

FDG327N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG326P

FDG326P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6302P

FDG6302P

Opis: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG315N

FDG315N

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6301N

FDG6301N

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor/onsemi
Na stanie
RFQ
FDG316P

FDG316P

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG361N

FDG361N

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6303N_G

FDG6303N_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG330P

FDG330P

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6304P

FDG6304P

Opis: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6303N_D87Z

FDG6303N_D87Z

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG328P

FDG328P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Opis: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6301N_D87Z

FDG6301N_D87Z

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6303N

FDG6303N

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG332PZ

FDG332PZ

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.