Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDG312P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2932467

FDG312P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.164
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDG312P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDG312P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-70-6
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    750mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    FDG312P-ND
    FDG312PTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    330pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDG312P”.
FDG1024NZ

FDG1024NZ

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG313N_D87Z

FDG313N_D87Z

Opis: MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG327N

FDG327N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG.2B.312.CLAD62

FDG.2B.312.CLAD62

Opis: CONN PLUG MALE 12POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG327NZ

FDG327NZ

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG313N

FDG313N

Opis: MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG.2B.310.CLAD62Z

FDG.2B.310.CLAD62Z

Opis: CONN PLUG MALE 10POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG314P

FDG314P

Opis: MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG329N

FDG329N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG315N

FDG315N

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG.2B.308.CLAD52

FDG.2B.308.CLAD52

Opis: CONN PLUG MALE 8POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG326P

FDG326P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG.2B.310.CLAD82

FDG.2B.310.CLAD82

Opis: CONN PLUG MALE 10POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG.2B.326.CLAD82

FDG.2B.326.CLAD82

Opis: CONN PLUG MALE 26POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG328P

FDG328P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG.2B.319.CLAD52

FDG.2B.319.CLAD52

Opis: CONN PLUG MALE 19POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG.2B.312.CLAD52Z

FDG.2B.312.CLAD52Z

Opis: CONN PLUG MALE 12POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG.2B.312.CLAD52

FDG.2B.312.CLAD52

Opis: CONN PLUG MALE 12POS SOLDER CUP

Producenci: LEMO
Na stanie
RFQ
FDG311N

FDG311N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG316P

FDG316P

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.