Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDD2670
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2006347

FDD2670

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.039
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDD2670
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDD2670.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    130 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.2W (Ta), 70W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FDD2670-ND
    FDD2670TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1228pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDD2670”.
FDD330003

FDD330003

Opis: OSCILLATOR XO 133.33MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDD20AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3510H

FDD3510H

Opis: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2572-F085

FDD2572-F085

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2572

FDD2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD24AN06LA0-F085

FDD24AN06LA0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3570

FDD3570

Opis: MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2612

FDD2612

Opis: MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3670

FDD3670

Opis: MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2512

FDD2512

Opis: MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3672

FDD3672

Opis: MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD24AN06LA0_SB82179

FDD24AN06LA0_SB82179

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD306P

FDD306P

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2582

FDD2582

Opis: MOSFET N-CH 150V 21A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD300004

FDD300004

Opis: OSC XO 133.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDD3580

FDD3580

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD2570

FDD2570

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD26AN06A0-F085

FDD26AN06A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.