Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB28N30TM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5215190Obraz FDB28N30TM.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB28N30TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$1.291
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDB28N30TM
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDB28N30TM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK
  • Seria
    UniFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    129 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    250W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    FDB28N30TM-ND
    FDB28N30TMTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    27 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2250pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    300V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 300V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB28N30TM”.
FDB3682

FDB3682

Opis: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2552

FDB2552

Opis: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3652

FDB3652

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3672

FDB3672

Opis: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Opis: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2614

FDB2614

Opis: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2570

FDB2570

Opis: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Opis: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2532

FDB2532

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3672-F085

FDB3672-F085

Opis: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3502

FDB3502

Opis: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2670

FDB2670

Opis: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2572

FDB2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3632

FDB3632

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2710

FDB2710

Opis: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.