Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCP104N60F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3059309

FCP104N60F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.92
10+
$7.126
100+
$5.859
800+
$4.529
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCP104N60F
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCP104N60F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    HiPerFET™, Polar™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    104 mOhm @ 18.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    357W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6130pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCP104N60F”.
FCP104N60

FCP104N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Opis: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Opis: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

Opis: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Opis: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1206C153G

FCP1206C153G

Opis: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

Opis: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP0805H681G-J1

FCP0805H681G-J1

Opis: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Opis: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP0805H681J

FCP0805H681J

Opis: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Opis: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

Opis: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP0805H681J-J1

FCP0805H681J-J1

Opis: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.