Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N483B_T50R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
268120Obraz 1N483B_T50R.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N483B_T50R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N483B_T50R
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N483B_T50R.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    80V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    175°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25nA @ 60V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    1N483

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N483B_T50R”.
1N485BTR

1N485BTR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N483BTR

1N483BTR

Opis: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N485A

1N485A

Opis: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N485B TR

1N485B TR

Opis: DIODE GP 200V 200MA DO204AL

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N483

1N483

Opis: DIODE RECT STD RECOVERY

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N4784A

1N4784A

Opis: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N485B

1N485B

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N482B

1N482B

Opis: DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N483B

1N483B

Opis: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N483BUR

1N483BUR

Opis: DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N485B_T50R

1N485B_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4784

1N4784

Opis: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N483A

1N483A

Opis: DIODE RECT STD RECOVERY

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N4783A

1N4783A

Opis: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N485B BK

1N485B BK

Opis: DIODE GP 200V 200MA DO204AL

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N485

1N485

Opis: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N4864 BK

1N4864 BK

Opis: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO41

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4783

1N4783

Opis: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N484B

1N484B

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N485BUR

1N485BUR

Opis: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.