Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Karta Linii > SemiQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski

SemiQ

SemiQ

Wstęp

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), założona w 2007 roku, jest zintegrowaną firmą zajmującą się rozwojem i produkcją, dedykowaną produktom opartym na technologiach węgliku krzemu (SiC). Produkty te będą podstawą dla energoelektroniki i przemysłu energetycznego w przyszłych latach, w których potrzebne są zaawansowane technologie w zakresie taniego, wysoce wydajnego wytwarzania, konwersji i transmisji.

Powiązane wiadomości

Kategoria
7
Produkty
373

Dyskretne produkty półprzewodnikowe

GP1M020A060N

GP1M020A060N

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXF030A060S1-D3

GSXF030A060S1-D3

Opis: DIODE FAST REC 600V 30A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD100A015S1-D3

GSXD100A015S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D020A060U

GP2D020A060U

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXF030A100S1-D3

GSXF030A100S1-D3

Opis: DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Opis: SILICON IGBT MODULES

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD080A008S1-D3

GSXD080A008S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD120A004S1-D3

GSXD120A004S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD100A006S1-D3

GSXD100A006S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D020A060B

GP2D020A060B

Opis: SCHOTTKY DIODE 600V 20A TO-247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GHXS020A060S-D3

GHXS020A060S-D3

Opis: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D005A120C

GP2D005A120C

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Opis: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD050A008S1-D3

GSXD050A008S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D006A060C

GP2D006A060C

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GDP48Y060B

GDP48Y060B

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GDP60P120B

GDP60P120B

Opis: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GDP36Z060B

GDP36Z060B

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 36A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D020A170B

GP2D020A170B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GDP06S060D

GDP06S060D

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GHIS080A120S-A2

GHIS080A120S-A2

Opis: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D030A060B

GP2D030A060B

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D050A120B

GP2D050A120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1

Opis: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GDP15S120A

GDP15S120A

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

Opis: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 335A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D016A120U

GP2D016A120U

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GSXF100A100S1-D3

GSXF100A100S1-D3

Opis: DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GHXS030A120S-D1E

GHXS030A120S-D1E

Opis: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GHIS030A120S-A1

GHIS030A120S-A1

Opis: IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP2D015A120A

GP2D015A120A

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść